首页
产品中心
XR MOSFET
N+P
SGT MOSFET
SJ超结MOS
VDMOS
SiC MOSFET
解决方案
锂电池保护
PD快充
电子烟
电机驱动
AC-DC电源
逆变储能
新闻中心
技术资讯
行业新闻
公司新闻
关于我们
公司简介
发展历程
人才招聘
联系我们
首页
产品中心
XR MOSFET
N+P
SGT MOSFET
SJ超结MOS
VDMOS
SiC MOSFET
解决方案
逆变储能
AC-DC电源
电机驱动
电子烟
PD快充
锂电池保护
新闻中心
技术资讯
行业新闻
公司新闻
关于我们
公司简介
发展历程
人才招聘
联系我们
中
En
四大技术支柱
构筑高效、可靠、智能的功率基石
01
高密度集成
Trench工艺结构,元胞密度
↑30%
02
低损耗设计
SGT技术,RDS(ON)
↓20%
,ESD能力
↑20%
03
高可靠品质
以万小时严苛验证,赋能系统
长效稳定运行
04
先进终端工艺
雪崩能力强,
先进终端工艺
技术演进 · 产品系列
以工艺迭代定义能效新高度,凭全场景覆盖驱动产业升级
2016年
新锐半导体成立
2018年
Trench MOS量产型号600多款
2022年
SGT MOSFET累计量产型号300多款
2023年
MOSFET累计出货量200多亿颗
2025年
基于6寸晶圆开了SiC MOSFET产品
逆变储能
AC-DC电源
电机驱动
电子烟
PD快充
锂电池保护
新闻动态
见证技术突破,洞察行业趋势,传递新锐价值
技术资讯
行业新闻
公司新闻
查看所有新闻 →
与全球领导者同行
融汇顶尖技术资源,共创功率半导体新生态